大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于sdram刷新一行 多久的问题，于是小编就整理了3个相关介绍的解答，让我们一起看看吧。
hm 62256是什么芯片？
HM62256是一款RAM芯片。
就像在计算机里面有内存条存在一样，在很多电子产品的电路中，常常会有数据临时存储的应用，单片机通常内部有128个字节或者256个字节的RAM有动态RAM（即DRAM）和静态RAM（SRAM）之分。两者是有很大差别的，DRAM需要刷新电路，操作比较复杂，但是价格便宜。SRAM价格贵，但是接口及操作很方便。结合这两者的特点，又产生SDRAM，延伸的有DDR这些RAM，这些RAM应用在不同的场合。
HM62256是一种8位高速静态RAM（SRAM）芯片，它有DIP封装类型，RoHS认证，最小工作温度为-10C，最大工作温度为80C，最小电源电压为1V，最大电源电压为7V，长度为4.2mm，宽度为5mm，高度为2.5mm。
内存trfc是越低越好吗？
内存trfc是越低越好，TRFC值属于第二小参，表示刷新间隔周期，单位为周期，值越小越好。DDR3内存通常值为90-120。低于80时，可能导致不稳定。CL、tRCD、tRP和tRAS称为第一时序，对颗粒性能的影响最明显，也最重要。
首先要内存时序（英语：Memory timings或RAM timings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。
清楚要使计算机有条不紊地工作，对各种操作信号的产生时间、稳定时间、撤销时间及相互之间的关系都有严格的要求。对操作信号施加时间上的控制，称为时序控制。只有严格的时序控制，才能保证各功能部件组合有机的计算机系统。
DDR3频率是多少?具体参数是什么？
DDR3频率分别是1066,1333,1600,甚至2000MHz 。
动作电压：运作I/O电压是1.5V
DDR3是一种电脑内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM(四倍资料率同步动态随机存取内存)的后继者(增加至八倍)，也是现时流行的内存产品。
DDR3 SDRAM为了更省电、传输效率更快，使用了SSTL 15的I/O接口，运作I/O电压是1.5V，***用CSP、FBGA封装方式包装，除了延续DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制方式外，另外新增了更为精进的CWD、Reset、ZQ、SRT、RASR功能。
CWD是作为写入延迟之用，Reset提供了超省电功能的命令，可以让DDR3 SDRAM内存颗粒电路停止运作、进入超省电待命模式，ZQ则是一个新增的终端电阻校准功能，新增这个线路脚位提供了ODCE(On Die Calibration Engine)用来校准ODT(On Die Termination)内部中断电阻，新增了SRT(Self-Reflash Temperature)可编程化温度控制内存时脉功能，SRT的加入让内存颗粒在温度、时脉和电源管理上进行优化，可以说在内存内，就做了电源管理的功能，同时让内存颗粒的稳定度也大为提升，确保内存颗粒不致于工作时脉过高导致烧毁的状况。
同时DDR3 SDRAM还加入RASR(Partial Array Self-Refresh)局部Bank刷新的功能，可以说针对整个内存Bank做更有效的资料读写以达到省电功效。
到此，以上就是小编对于sdram刷新时间导致读写错误的问题就介绍到这了，希望介绍的3点解答对大家有用。
