本文目录一览：
如果当年这样讲MOSFET,模电不逃课(三)
1、揭示MOSFET的魔法世界：解锁米勒效应与创新设计 米勒平台，一个由John Milton Miller揭幕的神秘领域，在MOSFET的旅程中扮演着关键角色。
2、米勒平台，一个由John Milton Miller揭幕的神秘领域，它在MOSFET的旅程中扮演着关键角色。当Vgs（栅极电压）上升时，它如同一道阶梯，赋予了MOSFET独特的放大特性——输入电容被巧妙地放大，放大系数不再是静止的1，而是变成了动态的1+Av，构建出强大的反向电压放大器。
深入理解MOSFET规格书/datasheet
首先，关注规格书中的电气参数，如V（BR）DSS（DS击穿电压），它表示MOSFET的耐压。许多人误以为只要不超过600V就能安全使用，但实际上，这是在Tj=25℃的条件下的最小值。在低温环境下，V（BR）DSS会随温度下降而减小，因此在设计时需留出裕量，考虑极端条件下的电压峰值。
MOSFET，作为电源适配器领域中的核心元件，其数据手册（Datasheet）成为了理解其特性和应用的关键。以东微OSG65R380x的数据手册为例，其中的绝对最大额定值部分，如Vds、Vgs、Id等参数，为理解MOSFET提供了基础信息。这些参数不仅告知了MOSFET的工作范围，还为实际应用提供了指导。
RDS（ON） 栅源导通电阻与温度的对应关系的图在每份数据说明书中都包含，如图8。因为MOSFET正常运行Tj温度高于25 C，当估算MOSFET的耗散功率时，考虑RDS（ON）时会变大是很重要的。动态特性 包括跨导，电容以及转换时间。
三极管和场效应管的区别,场效应管的作用是什么,三个极分别怎么对应
场效应管（J-fet或Mosfet）也是三极管的一种，同样具有放大作用，广泛用于放大、振荡、开关等电路。和双极型三极管不同，场效应三极管属于电压控制型器件---利用栅极电压控制漏极电流，其放大倍数用跨导表示，即漏极电流变化量与栅极电压变化量的比值△Id/△Ugs，这一点和电子三极管一致。
三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与；场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种 载流子。三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流 ；场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流。
指代不同 三极管：全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。场效应管：是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。原理不同 三极管：把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三极管和场效应管的主要区别在于三极管的放大或者开关功能依赖基极的电流分量。场效应管的放大和开关功能依赖于栅极的电压分量。其他还有开关时间特性的区别，一般晶体三极管大电流的开关速度远比不上场效应管。 场效应管和三极管输入电阻有差异。 .场效应管是单极；三极管是双极。
区别一：场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。而三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。区别二：场效应管和三极管的是电压和电流控制，但这都是相对的。电压控制的也需要电流，电流控制的也需要电压，只是相对要小而已。
